炒股就看金麒麟分析师研报，权威，专业，及时，全面，助您挖掘潜力主题机会！
华尔街见闻
三星电子已通过英伟达和AMD的HBM4资格测试，并将于下月开始向英伟达出货。这标志着三星电子在先进存储芯片领域取得关键突破，有望缩小与竞争对手SK海力士的差距。
三星电子计划下月启动下一代高带宽内存芯片HBM4的生产，并向英伟达供货，这标志着三星电子在先进存储芯片领域取得关键突破，有望缩小与竞争对手SK海力士的差距。
周一，据路透援引知情人士消息，三星已通过英伟达的HBM4资格测试，将于2月开始出货。此前，三星在HBM供应方面的延迟曾对其去年的业绩和股价造成冲击。
消息公布后，三星股价周一早盘上涨2.2%，而竞争对手SK海力士股价下跌2.9%。两家公司均将于本周四公布第四季度财报，届时预计将披露HBM4订单的更多细节。
英伟达首席执行官黄仁勋本月早些时候表示，该公司下一代芯片Vera Rubin平台已进入“全面生产”阶段，这些芯片将搭配HBM4芯片，计划于今年晚些时候推出。
三星追赶SK海力士的关键一步
据韩国《经济日报》周一报道，三星已通过英伟达和AMD的HBM4资格测试，并将于下月开始向英伟达出货。知情人士拒绝透露三星计划向英伟达供应的具体芯片数量。
SK海力士作为英伟达AI加速器所需先进存储芯片的主要供应商，一直在该领域保持领先地位。该公司去年10月表示已完成明年与主要客户的HBM供应谈判。
SK海力士一位高管本月早些时候告诉路透，公司计划下月开始在韩国清州的新工厂M15X投入硅晶圆生产HBM芯片，但未详细说明HBM4是否将成为初期生产的一部分。
风险提示及免责条款
市场有风险，投资需谨慎。本文不构成个人投资建议，也未考虑到个别用户特殊的投资目标、财务状况或需要。用户应考虑本文中的任何意见、观点或结论是否符合其特定状况。据此投资，责任自负。
]article_adlist-->
新浪声明：此消息系转载自新浪合作媒体，新浪网登载此文出于传递更多信息之目的，并不意味着赞同其观点或证实其描述。文章内容仅供参考，不构成投资建议。投资者据此操作，风险自担。
海量资讯、精准解读，尽在新浪财经APP
责任编辑：凌辰
贵丰配资提示：文章来自网络，不代表本站观点。
